Jätkame oma veebisaidil salvestusseadmete disaini ja tööpõhimõtte arutamist. Eelmisel korral arutasime välkmälu () ja täna keskendume ühele juba mainitud välkmälu tüübile, nimelt NAND-mälule. Oleme juba osaliselt välja mõelnud NAND-i struktuuri ja toimimise, nii et jätkame põhialgoritmide, ühendusmeetodite ja mõningate nüanssidega, mida ei tohiks NAND-iga töötades unustada.

Alustuseks vaatame kahte tüüpi NAND-mälu – nimelt SLC-( ühetasandiline rakk) ja MLC-( mitmetasandiline rakk) seadmed. SLC-seadmetes salvestab üks mälurakk ühe bitti teavet - just selliseid seadmeid käsitlesime eelmises artiklis. Võimalikud on ainult kaks mäluelemendi olekut ( väljatransistor ujuva katikuga). Esimene olek vastab laetud väravale ja teine ​​vastavalt tühjale. Siin on kõik lihtne - rakendame lävipinget ja äravooluvoolu olemasolu või puudumise järgi saame kindlaks teha, milline bitt antud mälurakku kirjutatakse.

MLC-seadmed erinevad selle poolest, et üks lahter suudab salvestada mitu bitti teavet, enamasti kaks bitti. Sellistes seadmetes on 4 ujuvvärava laengu taset, mis vastab 4 võimalikule salvestatud olekule:

Sellisest rakust teabe lugemiseks on erinevalt SLC-seadmetest vaja jälgida äravooluvoolu mitmel korral erinevad tähendused lävipinge transistori paisul.

MLC-mälus on SLC-ga võrreldes väiksem arv maksimaalseid võimalikke ümberkirjutamistsükleid. Lisaks on SLC kiirem – see tähendab, et lugemise/kirjutamise/kustutamise toimingud sooritatakse lühema ajaga. Ja kuna mäluelemendi oleku määramiseks kasutatakse ainult ühte pingeläve, põhjustab SLC-mälu väiksema tõenäosusega vigu. Kuid see ei tähenda, et MLC oleks halvem. MLC-mälu võimaldab esiteks salvestada rohkem teavet ja teiseks on see odavam. See tähendab, et hinna ja kvaliteedi suhte seisukohalt tundub MLC põhimõtteliselt eelistatav.

Liigume edasi NAND-mälu struktuuri juurde 😉

Nagu mäletame, ei ole meil erinevalt NOR-mälust NAND-i kasutamisel juurdepääs suvalisele mäluelemendile. Kõik lahtrid on ühendatud lehtedeks. Ja lehed on ühendatud loogilisteks plokkideks. Iga leht sisaldab lisaks kasutaja salvestatud teabele mõningaid lisaandmeid - teavet "halbade" plokkide kohta, lisateavet vigade parandamiseks.

NAND-i raskus seisneb selles, et ühelegi konkreetsele teabelahtrile on võimatu juurde pääseda. Andmeid saab kirjutada ainult lehekülgede kaupa, st kui tahame natukene muuta, siis tuleb terve leht ümber kirjutada. Ja andmeid saab kustutada ainult plokkidena. Siin on näiteks NAND-mälukiibi NAND128W3A omadused: lehe suurus – 512 baiti + 16 baiti täiendavat teenuseinfot, ploki suurus – 16 kBytes ehk 32 lehekülge.

Teine probleem NAND-iga on see, et kirjutamistsüklite arv ei ole lõpmatu. Seega, kui kirjutatakse alati samale lehele, siis see varem või hiljem rikutakse. Ja selleks, et tagada kõigi mäluelementide ühtlane kulumine, jälgib NAND-mälukontroller iga üksiku mäluploki kirjutamistsüklite arvu. Kui kontroller näeb, et plokk on "halb", võib ta selle vahele jätta ja järgmisesse plokki kirjutada. Tänu sellele pikeneb oluliselt andmekandjate kasutusiga. Kui tahame kirjutada suurt massiivi andmeid, siis segatakse mälukiibi sees kõik andmed plokkideks (kirjutusalgoritm töötab kõige vähem kulunud plokkides) ja nende andmete lugemise ülesande tekkimisel NAND-mälukontroller. korraldab andmed ja annab need meile algsel kujul.

Oleme struktuuri välja selgitanud ja lõpuks tahaksin natuke rääkida, kuidas ühendus luuakse NAND kiibid-mälu.

Ja selleks kasutatakse paralleelset andmeedastussiini. Siini laius on olenevalt 8 või 16 baiti konkreetne seade. Andmeread kombineeritakse aadressiridadega, mis vähendab hõivatud kontaktide arvu. Juhtsignaalid ja nende eesmärk on hästi kirjeldatud siin:

Kui tahame mälu ühendada mikrokontrolleriga, siis on kõige parem valida kontroller, millel on andmeedastuseks riistvaraline tugi. paralleelliides. Näiteks on paljud STM32 varustatud FSMC mooduliga, mis võimaldab ühendada väline seade mälu. Aga sellesse me praegu ei süvene, parem on see teema tulevaste artiklite jaoks jätta 😉 Võib-olla proovime lähitulevikus ehitada väikese näite STM32 jaoks, kuhu kirjutame ja loeme andmeid NAND-mälust, nii et; näeme varsti!)

NAND-välkmälu kasutab NOT AND väravat ja nagu paljud muud tüüpi mälud, salvestab see andmed suur massiiv lahtrid, kus iga lahter sisaldab ühte või mitut andmebitti.

Igat tüüpi mälu võivad mõjutada sisemised ja välised tegurid, nagu kulumine, füüsiline kahju, vead riistvara ja teised. Sellistel juhtudel riskime oma andmete täieliku kaotamisega. Mida teha sellistes olukordades? Pole vaja muretseda, sest on olemas andmete taastamise programmid, mis taastavad andmed lihtsalt ja kiiresti, ilma et oleks vaja osta lisavarustus või sisse viimase abinõuna, hakake uuesti töötama kadunud dokumentidega. Vaatame NAND-välkmälu lähemalt.

Tavaliselt on NAND-massiv jagatud paljudeks plokkideks. Iga baiti ühes neist plokkidest saab eraldi kirjutada ja programmeerida, kuid üks plokk esindab massiivi väikseimat kustutatavat osa. Sellistes plokkides on iga biti kahendväärtus 1. Näiteks monoliitne 2 GB NAND-välkmäluseade koosneb tavaliselt 2048 B (128 KB) plokist ja 64 plokist. Igal lehel on 2112 baiti ja see koosneb 2048 baidist andmetest ja täiendav tsoon 64 baidis. Varuala kasutatakse tavaliselt ECC, rakkude kulumise teabe ja muude tarkvara lisafunktsioonide jaoks, kuigi see ei erine füüsiliselt ülejäänud lehe osast. NAND-seadmeid pakutakse 8-bitise või 16-bitise liidesega. Andmesõlm on ühendatud NAND-mäluga kahesuunalise 8- või 16-bitise andmesiini kaudu. 16-bitises režiimis kasutavad käsud ja aadressid 8 bitti, ülejäänud 8 bitti kasutatakse andmeedastustsüklite ajal.

NAND-välkmälu tüübid

NAND-välkmälu, nagu me juba märkisime, on kahte tüüpi: ühetasandiline (SLC) ja mitmetasandiline (MLC). Ühetasandiline välkmälu – SLC NAND (single level cell) sobib hästi rakendustele, mis nõuavad suurt ja keskmist tihedust. See on kõige hõlpsamini kasutatav ja mugavam tehnoloogia. Nagu ülalpool kirjeldatud, salvestab SLC NAND igasse mälulahtrisse ühe bitti andmeid. SLC NAND pakub suhteliselt suurt lugemis- ja kirjutamiskiirust, head jõudlust ja parandusalgoritme lihtsad vead. SLC NAND võib bitipõhiselt olla kallim kui teised NAND-tehnoloogiad. Kui rakendus nõuab suur kiirus lugemisseadmed, näiteks suure jõudlusega meediumikaart, mõned hübriidajamid, pooljuhtseadmeid (SSD) või muid manustatud rakendusi, võib SLC NAND olla ainus sobiv valik.

Mitmetasandiline välkmälu – MLC NAND (multilevel cell) on mõeldud suurema tihedusega ja aeglase tsükliga rakenduste jaoks.

Erinevalt SLC NAND-ist salvestavad mitmetasandilised MLC NAND-rakud mäluelemendi kohta kaks või enam bitti. Iga biti asukoha määramiseks rakendatakse pinget ja voolu. SLC-seadmed vajavad ainult ühte pingetaset. Kui vool tuvastatakse, on biti väärtus 1; kui voolu ei tuvastata, on bitt tähistatud kui 0. MLC-seadme puhul kasutatakse bittide väärtuste määramiseks kolme bitti erinevad tasemed pinge.

Tavaliselt pakub MLC NAND seadme kohta kaks korda suuremat võimsust kui SLC NAND ja on ka odavam. Kuna SLC NAND on kolm korda kiirem kui MLC NAND ja pakub rohkem kui 10 korda suuremat jõudlust; kuid paljude rakenduste jaoks pakub MLC NAND õiget hinna ja jõudluse kombinatsiooni. Tegelikult moodustab MLC NAND peaaegu 80% kõigist NAND-välkmälu saadetistest. Ja MLC NAND välkmälu domineerib tarbijate valikul SSD-klassis, kuna nende jõudlus on parem magnetiline kõva kettad.

SSD eluiga sõltub NAND-välkmällu kirjutatud baitide arvust. Enamikul MLC-põhistel seadmetel on ühe- kuni kolmeaastane garantii. Siiski on oluline täpselt aru saada, kuidas seadet kasutatakse, kuna MLC-põhised SSD-d võivad kesta vähem, kui on oodata mitu ketta ümberkirjutamist. Teisest küljest kestavad SLC-põhised lahendused eeldatavast kolm aastat kauem, isegi raskete PE-tsüklite korral.

NAND-välgu ajalugu

NAND-välkmälu on püsiv pooljuhtketas, mis on toonud olulisi muudatusi andmesalvestustööstuses, mis on nüüdseks 26 aastat vana. Välkmälu leiutas dr Fujio Masuoka 1980. aasta paiku Toshibas töötades. Toshiba sõnul pakkus nime "välk" dr Masuoka kolleeg hr Sho-ji Ariizumi, kuna mälusisu kustutamise protsess meenutas talle kaamera välku.

Toshiba turustas NAND-välkmälu 1987. aastal; sellest ajast on palju muutunud. NAND-välkmälu turg on kiiresti kasvanud ja müük on kaheksa korda suurem DRAM-mälu(Dünaamiline muutmälu – dünaamiline muutmälu). NAND-mälust on saanud suure vastupidavusega salvestusseade ja paljude kasutajate valik. Sellist mälu kasutatakse tänapäeval erinevaid kaarte mälu ja USB-draivid, pilvesalvestus leidub paljude kasutajate seas nii tööstuses ja äris kui ka koduseadmetes. Apple'i iPhone'i, iPodi ja iPadi seadmed, samuti telefonid ja tahvelarvutid sisse lülitatud Androidi baasil Laialdaselt kasutatakse ka NAND-välkmälu. Sellest ajast alates on see uuendus jõudnud oma teekonda uus ajastu, kus tarbijad pääsevad alati juurde oma failidele: videotele, muusikale, raamatutele ja dokumentidele, kus iganes te ka poleks.

Kvaliteetne NAND on programmeeritud lugema teavet väikeste plokkide või lehtedena, samal ajal kui NOR-välkmälu loeb ja kirjutab andmeid 1 bait korraga. NOR-välkmälu on eelistatud seadmetele, mis salvestavad ja käitavad koode, tavaliselt väikestes kogustes.

Tahkis-NAND välkmälu ja salvestusseadmete kasutuselevõtt lisaks tavalistele magnetilistele kõvakettad andis ettevõtetele uusi võimalusi oma serveri käitamiseks ja peamiste ärirakenduste salvestamiseks. Kuna sellisel mälul pole liikuvaid osi, suudab NAND flash tänu sellele palju kiiremini andmeid töödelda ja ühest kohast teise teisaldada suurepärane kiirus lugemine ja kirjutamine. Finantsteenustes kasutatavad rakendused jaekaubandus ja pilveveebiteenused kasutavad sageli NAND-välkmäluga varustatud servereid.

Välkmälu salvestab teabe massiivi, mis koosneb mälurakkudest ja ujuvväravatest transistoridest. Single Layer Cell (SLC) seadmetes salvestab iga rakk ainult ühe bitti teavet. Mõned uuemad välkmälutüübid, tuntud kui mitmetasandilised rakuseadmed (MLC) võivad salvestada rohkem kui ühe biti raku kohta, valides mitme taseme vahel. elektrilaeng ujuvvärava transistori ja selle elementide pealekandmiseks.

Peamised faktid NAND Flashi kohta

Välkmälutüüpide areng on muljetavaldav. StorageNewsletter.com, lugupeetud ja riiklikult tunnustatud igapäevane allikas elektroonilised uudised tööstuse jaoks, järgib NAND-välkmälu arengut üsna pikka aega ja on kogu arhiiv andmed selle tehnoloogia olemasolu kohta.

Välkkiibid: helitugevuse suurendamine ja kaugemalegi madal hind Välkmälu ja pooljuhtdraivid sõltuvad otseselt NAND-välkmälukiipide tootmisprotsessist. SanDisk ja Toshiba pakuvad nüüd 128 GB MLC-liini ja 3-bitise lahtriga kiipi. Maailma suuremate välkmälutootjate hulgas on sellised ettevõtted nagu: Intel, Samsung, Seagate, Nvidia, LSI, Micron ja Western Digital.

Välkmälupulgad (või mälupulgad): esimesed USB-mälupulgad töötati välja 1990. aastate lõpus M-Systemsi poolt, mille hiljem omandas SanDisk. 2001. aastal USA-s IBM ettevõte hakkas tootma mälu 8 MB versiooni, mida nimetatakse "võtmemäluks". Nüüd ulatub sellise mälu maht 128 GB-ni ja hindu on oluliselt alandatud.

Samast firmast M-Systems sai 1995. aastal esimene SSD tootja. Alates 1999. aastast on SN.com salvestanud 590 erinevad mudelid, mille on käivitanud tootmise 97 ettevõtet. Muu hulgas andis BiTMICRO Networks 1999. aastal välja mudeli E-Disk SNX35, mille suurus on 3,5 tolli ja mahutavus 128 MB kuni 10 GB, juurdepääsuaeg 500 ms ning lugemis- ja kirjutamiskiirus 4 MB/s, kasutades SCSI-2 liidest. . Järgmisel aastal tootis M-Systems 3 GB FFD SCSI, 2,5-tollise SSD maksimaalne kiirus lugeda 4 MB/s ja kirjutada 3 MB/s.

Tänapäeval saate hankida 16 TB mälu (OCZ-lt PCIe SSD), mille lugemiskiirus on kuni 4 GB/s ja kirjutamiskiirus kuni 3,8 GB/s. OCZ kuulutas 2012. aastal välja ka kiireima võimaliku aja info kirjutamiseks ja lugemiseks: 0,04 ms lugemiseks ja 0,02 ms kirjutamistoiminguteks.

Sageli võime leida end olukorrast, kus andmed kustutatakse või kahjustuvad erinevaid vigu, nii süsteemis kui ka inimese enda vigades. Saate teada, kuidas mälukaardilt andmeid taastada.

NAND-välguga seadme valimise kriteeriumid

NAND-välktehnoloogiaga seadme (näiteks SSD) valimisel peate arvestama mitme valikukriteeriumiga:

Veenduge, et SSD-seade, operatsioonisüsteem ja failisüsteem toetaksid TRIM-i, eriti kui kaart kasutab kontrollerit kõvaketast, mis muudab "prügi" ja mittevajalike andmete kogumise protsessi keerulisemaks:

— uurige mis tahes teabeallikast, kas teie OS toetab trimmimist; — on rakendusi, mis aitavad teil OS-i trimmitehnoloogiat lisada, kui seda ei toetata. Aga enne uuri, kas see haiget ei tee üldine jõudlus seadmeid. NAND-mäluga SSD muutub suurepärane valik kui vajate suurt jõudlust, müravaba, vastupidavust välised tegurid mõju või madal energiatarve: - ebaühtlane lugemine võimaldab suurendada jõudlust võrreldes HDD-ga; - õppida nii palju kui võimalik võimalik jõudlus seadmed, et mitte ületada piire; Toimingute paremaks toimimiseks ja nende ööpäevaringseks tööks on parem valida SLC kui MLC: - NAND-põhine SSD sobib suurepäraselt serverite kiirendamiseks, kuid pidage meeles, et see nõuab ka vaba ruumi prügi ja/ või trimmi. — RAID süsteem koos SSD-ga annab suure jõudluse ja stabiilsuse, kuid kasutage spetsiaalselt SSD jaoks loodud raid-kontrollereid, vastasel juhul koguneb nii palju prügi, et isegi trimmi- või kogumissüsteem ei saa hakkama. Suurema vastupidavusega SSD-seadmed peavad muidugi kauem vastu: - Näiteks vali 128 GB asemel 100 GB seade, 256 GB asemel 200 GB jne. Siis teate kindlalt, et 28 või 56 ja nii edasi gigabaiti mälu on tõenäoliselt reserveeritud ruumi kulumise arvutamiseks, failide ümberkorraldamiseks ja defektsete mälurakkude jaoks. Tööstuses, tootmises või kontorites kasutamiseks on parem valida äriklassi seadmed, näiteks PCI Express(PCIe) SSD-seade:

Spetsiaalselt konfigureeritud PCIe-kaardid SSD kontroller võib anda väga kõrge I/O jõudluse ja hea vastupidavuse.

2017-05-25 Viimati muudetud: 2018-10-10

Artiklis käsitletakse järgmist: Mikroskeemide kasutamise omadused NAND VÄLK, lehe paigutus ja haldusmeetodid halvad plokid. Soovitused programmeerimiseks programmeerijate abil.

SISU:

1. TEOORIA

1.1. Erinevus NAND FLASH kiipide ja tavaliste kiipide vahel

Kui te ei süvene tehnoloogia keerukusesse, siis erinevus mikroskeemide vahel NAND teistest mälukiipidest on järgmine:

• Mikroskeemid NAND on väga suur maht.
• Mikroskeemid NAND võib olla halvad (halvad) plokid.
• Lehekülje suurus rekordid ei ole 2 aste .
• Kiibile kirjutamine läbi viidud ainult leheküljed , kustutamine - vähemalt plokkide kaupa .

On veel mõned erinevused, kuid kaks esimest funktsiooni on võtmetähtsusega. Põhjustab kõige rohkem probleeme halbade plokkide olemasolu.

1.2. NAND FLASH kiipide organiseerimine

Lisateavet mikroskeemide korralduse ja struktuuri kohta NAND saab lugeda erialakirjandusest, kuid märgime, et:

• Mikroskeemid NAND sisse organiseeritud lehekülgi (lehekülgi), lehed sisse plokid (blokid), blokeerib sisse loogilised moodulid (lun).
• Lehekülje suurus NAND mitte 2 kordne.
• Leht koosneb põhilised Ja tagavaraks (tagavaraks) piirkondades.

Arendajate sõnul NAND Vtuumikpiirkond peab asuma andmed ise, A varu (reservi) alal - halvad ploki markerid, kontrollsummad põhiala, muu omandiõigusega kaitstud teave.

Kui nad räägivad lehe suurus NAND kiibid 512 bait või 2K bait siis me räägime O põhiala suurus lehekülgi, välja arvatud tagavaraks.

1.3. Lehe varuala kasutamise viisid

Tuletame veel kord meelde, et NAND-kiipide arendajate sõnul varualal peaks asub: halvad ploki markerid, kontrollsummad peamine andmeala, muud teenuse teave.

Enamik arendajaid ainult kirjeldab asukoht halvad ploki markerid kaasasolevates mikroskeemides. Varuala kasutamise muude aspektide kohta antud üldised soovitused ja ECC arvutamise algoritm, tavaliselt Hamingi järgi. Samsung läheb veidi kaugemale, töötades välja soovitusi nimega " Varu NAND-välkmäluala. Eesmärgi standard "("NAND Flash Spare Area. Assignment Standard", 27. aprill. 2005, Memory Division, Samsung Electronics Co., Ltd).

Nii et see standard eeldab järgmine kasutamine varuala:

Kiipidele, mille lehe suurus on 2048+64 baiti t lehe põhi- ja varualad on jagatud 4 fragmendiks (sektoriks):

Piirkond	Suurus (bait)	Fragment
Peamine	512	1. sektor
	512	2. sektor
	512	3. sektor
	512	4. sektor
Varu	16	1. sektor
	16	2. sektor
	16	3. sektor
	16	4. sektor

Iga fragment nende põhiala on sobitatud varuala fragment.

Varuala kasutamine (iga nelja fragmendi jaoks)
kiipide jaoks, mille lehe suurus on 2048+64 baiti:

Eelarvamus (bait)	Suurus (bait)	Eesmärk	Kirjeldus
			Halb plokimarker
			Reserveeritud
			Loogiline sektori number
			Reserveeritud sektori numbri jaoks
			Reserveeritud
			Pealehe ala ECC-kood
			Loogilise sektori numbri ECC-kood
			Reserveeritud

Kuid see pole ainus "standard" lehemälu eraldamiseks, näiteks teame neist mitukümmend;

• "NAND FLASH haldamine WinCE 5.0 all ", NXP;
• "NAND Flashi halb plokihaldus NX2LP abil ", 15. detsember 2006, Cypress Semiconductor;
• "OLPC NAND Bad Block Management ", OLPC.

1.4. NAND-pilt ja kahendkujutis

Võite kokku puutuda kaks võimalust pilt salvestamiseks:

1. Binaarne fail pole katki lehtedele ja ilma vaba alata.
   See valik on võimalik, kui olete seadme arendaja NAND või sai sellise faili arendajalt. See pilt sobib kirjutamiseks igas suuruses lehtedega mikroskeemidele ja varuala mis tahes jaotusega, peate lihtsalt teadma, mis meetodil varuala moodustatakse.
2. Pilt, mis on loetud teisest mikroskeemist (näidis), mis sisaldab varuala koos vigaste plokkide märgistuste, hooldusteabe ja juhtkoodidega.
   Seda pilti saab kirjutada ainult koos kiibiga täpselt samad mõõdud lehed ja plokid.

Need spetsialistid, kes remondivad erinevaid seadmeid, puutuvad sageli kokku teise juhtumiga. Sellisel juhul on sageli raske kindlaks määrata kasutatavat varuala eraldamise meetodit ja kasutatud halba plokihaldusmeetodit.

1.5. Halbade plokkide tehasemärgistus

Ainus asi, mis on enam-vähem standardiseeritud, on halbade plokkide tehasemärgistus.

• Halvad plokid on märgitud sisse 0. või 1. lehekülg kiipide jaoks, mille lehe suurus on väiksem kui 4K.
• Sest 4K lehekülge ja rohkemgi veel, võib märgistus olla peal viimane leht blokk.
• mina ise halb ploki marker asub lehe varualal 5. baidis väikeste lehtede jaoks (512 baiti) ja 0. baidis suurte lehtede jaoks (2K).
• Halb plokimarker võib olla oluline 0x00 või 0xF0 väikeste lehtede jaoks Ja 0x00 rohkemate jaoks X.
• Kenad klotsid alati märgitud 0xFF.
• Igal juhul tähendus erineb 0xFF-st programmeerija tajub kui halb ploki marker.
• Reeglina kaasaegses NAND halb plokk on täielikult täidetud väärtusega 0x00.

On üks probleem: halva ploki saab kustutada. Sel moel võite kaotada teabe halbade kiibiplokkide kohta.

Kui aga mikroskeem on seadmes juba töötanud, ei kasutata seda halbade plokkide märgistamise meetodit alati. Mõnikord ei salvestata NAND-mällu isegi halba plokkide teavet. Kuid enamasti eelistab ta tehasemärgiseid mitte kustutada, isegi kui seadme tarkvara arendaja kasutab halbade plokkide haldamiseks teistsugust skeemi.

1.6. Halb plokkide haldamine

Arendajad NAND mikroskeemid soovitavad kasutada järgmisi halbu ploki juhtimisskeeme:

• Läbida halvad plokid
• Kasutamine tagavaraks piirkond

Samuti hõlmavad halbade plokkide haldamise meetodid mõnikord kasutamist veaparandus(ECC). Tuleb märkida, et ühe veaparanduse kasutamine ei kõrvalda mitut viga ja sunnib siiski kasutama ühte ülaltoodud skeemidest. Peale selle enamus NAND kiipidel on garanteeritud veavaba ala, kuhu halvad plokid ei ilmu. Rikkevaba piirkond asub tavaliselt kiibi alguses.

Neid halbade plokkide haldamise meetodeid on hästi kirjeldatud tehniline dokumentatsioon tootjad NAND ja neid käsitletakse laialdaselt kasutamist käsitlevas kirjanduses NAND. Meenutagem siiski lühidalt nende olemust:

Jäta vahele halvad plokid:
Kui praegune plokk osutub vigaseks, jäetakse see vahele ja info kirjutatakse järgmisse vabasse plokki. See skeem on universaalne, hõlpsasti rakendatav, kuid mõnevõrra problemaatiline juhtudel, kui töö ajal ilmnevad halvad plokid. Selle skeemi täielikuks toimimiseks tuleb ploki sees salvestada loogiline ploki number (Samsungi standard varuala määramiseks eeldab seda tegelikult). Selle skeemi järgi töötades peab kontroller kuskil salvestama loogiliste plokkide numbrite ja nende füüsiliste numbrite vastavustabeli, vastasel juhul aeglustub juurdepääs mälule oluliselt.

Seetõttu on loogiline areng skeem varuala kasutamine:
Selle meetodi kohaselt jagatakse kogu mälumaht kaheks osaks: põhi- ja varundus. Kui põhimällu ilmub vigane plokk, asendatakse see varumälust oleva plokiga ning plokkide ümberjaotamise tabelisse tehakse vastav kanne. Ümberjaotamise tabel salvestatakse kas garanteeritud tõrkekindlas plokis või mitmes eksemplaris. Tabelivorming on erinev, see on salvestatud erinevad kohad. Jällegi kirjeldab Samsung tabeli vormingu ja paigutuse standardit, kuid vähesed järgivad seda.

2. HARJUTAMINE

2.1. NAND-kiibi halbade plokkide skannimine

Programmeerija ChipStar võimaldab kiiresti skannida mikrolülitust NAND vigaste plokkide olemasolu kohta vastavalt vigaste plokkide tehasemärgistele.

Valige menüüelement " Chip|Otsige halbu plokke ", kontrollitakse kiipi vigaste plokkide suhtes. Tulemust näidatakse tabeli kujul.

See toiming on vajalik ainult siis, kui soovite lihtsalt vaadata halbade plokkide loendit. Kõigil muudel juhtudel otsitakse vigaseid plokke vajadusel automaatselt.

2.2. Halvad plokid NAND-pildil

Kiibipildi lugemisel NAND programmeerija lisaks salvestab teavet lehe ja kiibi ploki suuruse kohta. Teave salvestatakse sisse eraldi fail. Nii et kui loendasite ja salvestasite kiibi pildi faili <имя_файла>.nbin programm loob teise faili: <имя_файла>.cfs . Faili avamisel <имя_файла>.nbin faili <имя_файла>.cfs loetakse samamoodi. Failis <имя_файла>.cfs salvestatakse teave kiibi lehe ja ploki suuruse kohta. Pärast kiibi lugemist või faili avamist nagu .nbin , tehakse lehe ja ploki suuruse teabe põhjal pildi taustaskannimine vigaste plokkide olemasolu tuvastamiseks.

Valikud NAND ja teavet halbade plokkide kohta leiate vahekaardilt NAND"programmeerija redaktor:

Binaarne pilt NAND saab vaadata vahekaardilt Põhimälu ":

Redigeerija režiimis NAND lehe vaba ala on eraldatud tuhmimat värvi, nupud lehekülgedel liikumiseks, plokkide ja kiire üleminek praeguse lehe varuala algusesse. Lisaks kursori aadressile kuvatakse ka redaktori olekurida lehekülje number Ja ploki number kus kursor asub. Kõik see võimaldab mugavamalt vaadata mikroskeemi sisu.

2.3.NAND-i kustutamine

Vaikimisi programmeerija ei kustuta halvad plokid, kuid kui keelate valiku " Halbade plokkide kontrollimine ja vahelejätmine " halvad plokid võivad kustutada ja halvad plokkide märgised võivad kaduda. Keela see valik ainult vajadusel.

Vahele jäetakse ainult tehasemärgistuse kohaselt märgistatud halvad plokid. Kui seade kasutab halbade plokkide jaoks teistsugust märgistust, kustutatakse need, kuna tarkvara programmeerija neid ei näe. Halbade plokkide mittestandardsete märgistega töötamiseks võib programmeerija kasutada väliseid pistikprogramme.

2.4. Mikrolülituse testimine salvestuse puudumise suhtes

Vaikimisi ignoreerib programmeerija kontrollimisel kõiki halbu plokke, kuid kui keelate valiku " Skannige ja jätke halvad plokid vahele "Testitakse halbu plokke, mis loomulikult põhjustavad testimisvigu.

2.5. Valmis pildi kirjutamine kiibile

Pildi põletamine NAND mikroskeemis erineb pisut tavapärastest VÄLK mikroskeemid Esiteks peavad need sobima lehe suurused pilt ja sihtkiip. Juhtimise kasutamisel peavad halvad plokid ühtima plokkide suurused pilt ja mikroskeem.

Tarkvara kõigile programmeerijatele ChipStar toetab kolm meetodit halbade plokkide haldamiseks sisseehitatud tööriistad ja piiramatu arv pistikprogramme. Lisaks saab määrata kirjutatavate plokkide arvu kiibi alguses, mis tegelikult on neljas viis halbade plokkide haldamiseks.

1. meetod: halbade plokkide ignoreerimine

Lihtne kopeerimine, halbade plokkide ignoreerimine (halvad plokid kirjutatakse samamoodi nagu tavalised).

Algne pilt		Kiip (algseisund)		Kiip (tulemus)
Plokk 0 hea		Blokeeri puhas		Plokk 0 hea
Plokk 1 halb		Blokeeri puhas		Plokk 1 vale
Plokk 2 hea	Blokeeri puhas		Plokk 2 hea
3. plokk hea	Blokeeri halb		3. plokk vigane
Plokk 4 hea	Blokeeri puhas		Plokk 4 hea
Kirje piir
Plokk 5 hea	Blokeeri puhas		Blokeeri puhas

Sobib kõige paremini NAND-kiipide kopeerimiseks sellesse süvenemata sisemine struktuur, eeldusel, et kiip kirjutatakse ei sisalda halbu plokke . Kui originaalpildil seal olid halvad plokid , lõpuks vorm vale halvad plokid . Vale halbade plokkide ilmumine ei mõjuta seadme tööd. Kui aga kiip sisaldab juba halbu plokke, proovite sellisele kiibile kirjutada, halvad plokid ettearvamatute tagajärgedega. Näpunäide: võite proovida kustutada kogu kiibi, sealhulgas halvad plokid, ja seejärel kopeerida selle. Kui halvasse plokki kirjutamine on edukalt lõpule viidud (seda juhtub sageli), töötab teie seade edaspidi õigesti, seadme tarkvara tuvastab halva ploki ja asendab selle vastavalt oma tööalgoritmile heaga.

2. meetod: halbadest plokkidest möödaminek

Algne pilt		Kiip (algseisund)		Kiip (tulemus)
Plokk 0 hea	Blokeeri puhas		Plokk 0 hea
Plokk 1 halb	Blokeeri puhas		Blokeeri puhas
Plokk 2 hea	Blokeeri puhas		Plokk 2 hea
3. plokk hea	Blokeeri halb		Blokeeri halb
Plokk 4 hea	Blokeeri puhas		Plokk 4 hea
Kirje piir
Plokk 5 hea	Blokeeri puhas		Blokeeri puhas

Halbadest plokkidest mööda minnes halbu plokke ei salvestata originaalne pilt Ja teavet ei kirjutata halbadesse kiibiplokkidesse. See ei ole parim kopeerimispoliitika, kuid see on ohutu halbade kiibiplokkide eest: ükski teave ei lähe kaduma halbade laastuplokkide kohta ja vale halvad plokid ei ilmu. Mõnel juhul võib selline kopeerimispoliitika aidata taastada tundmatu seadme funktsionaalsust.

3. meetod: jätke halvad plokid vahele

Algne pilt		Kiip (algseisund)		Kiip (tulemus)
Plokk 0 hea		Blokeeri puhas		Plokk 0 hea
Plokk 1 halb		Blokeeri puhas		Plokk 2 hea
Plokk 2 hea		Blokeeri puhas		3. plokk hea
3. plokk hea		Blokeeri halb		Blokeeri halb
Plokk 4 hea	Blokeeri puhas		Plokk 4 hea
Kirje piir
Plokk 5 hea	Blokeeri puhas		Blokeeri puhas

Kirjutage halvad plokid vahele jättes eeldab, et seade kasutab halbade plokkide haldamiseks täpselt seda algoritmi, mitte ühtegi muud. Nendel tingimustel on tagatud teabe korrektne kopeerimine.

4. meetod: kirjutage ainult garanteeritud tõrkevaba ala

Algne pilt		Kiip (algseisund)		Kiip (tulemus)
Plokk 0 hea	Blokeeri puhas		Plokk 0 hea
Plokk 2 hea	Blokeeri puhas		Plokk 1 hea
Kirje piir
Blokeeri halb	Blokeeri puhas		Blokeeri puhas
3. plokk hea	Blokeeri halb		Blokeeri halb
Plokk 4 hea	Blokeeri puhas		Blokeeri puhas
Plokk 5 hea	Blokeeri puhas		Blokeeri puhas

Enamikus kaasaegsetes NAND mikroskeemide puhul on garanteeritud, et esimestel plokkidel (vähemalt ühel) pole rikkeid. Paljudes seadmetes on kiibi alguses alglaaduri ja seadme operatsioonisüsteemi kood. Sageli piisab ainult nende alade kopeerimisest.

Salvestusrežiimi sätete dialoogis määrake salvestuse suurus plokkides.

Muud viisid halbade plokkide haldamiseks

Tarkvara ChipStar programmeerijad toetab kõiki halbu plokihaldusalgoritme NAND kasutades väliseid pistikprogramme. Olenevalt saadavusest installitud pistikprogrammid kirjeldused täiendavaid meetodeid kuvatakse nimekirjas" Halbade NAND-plokkide haldamine ". Saate konfigureerida valitud meetodi parameetreid, klõpsates nuppu " Väline pistikprogramm ".

Veaparanduskoodide (ECC) kasutamine

Veaparanduskoodide kasutamine võimaldab üksikute vigade taastamine NAND-i lehel.

Üksikute vigade taastamiseks sektoris saab kasutada erinevaid algoritme. Olenevalt algoritmist ECC, saab taastada erinevad kogused vead sektori kohta (512+16 baiti). Termini "" all vallaline " on arusaadav viga ainult ühes bitis andmeid. NAND-i jaoks, mille lehe suurus on 512+16 baiti, on kontseptsioon " sektoris" ja " lehel" vaste. NAND-i jaoks koos suur suurus ChipStari lehe programmeerija kasutab lehe paigutusskeemi sektoriteks, nagu kirjeldatud. Salvestus- või kinnitamisseadetes saate määrata, kui palju vigu teie seadmes kasutatav algoritm ühes sektoris parandada suudab. Vastavalt sellele ei lükata statistikaaknas teavet parandatavate vigade arvu kohta:

Teavet iga konkreetse kiibi sektori kohta lubatud vigade arvu kohta leiate aadressilt dokumentatsiooni kiibi kohta. Kõik äsja lisatud NAND-kiibid sisestatakse programmeerija andmebaasi, võttes arvesse lubatud vigade arvu.

Iseseisvalt lisamisel mikroskeemid:

• Kui ONFI toetatud, siis lubatud vigade arv sektori kohta lugeda mikroskeemide parameetrite tabelist ja on paigaldatud soovitud väärtuseni.
• kui mikroskeem ei toeta ONFI-d, kasutaja väärtuse tuleb ise määrata, kasutades kiibi dokumentatsiooni.

Uute mikroskeemide jaoks NAND tootmine Samsung sektori kohta lubatud vigade arvu väärtus kodeeritakse kiibi identifikaatori osana. Seetõttu seatakse selliste mikroskeemide puhul õigesti ka lubatud vigade arv sektori kohta.

Mikroskeemi sisu lugemisel selle edasise salvestamise või kopeerimise eesmärgil, üksikuid vigu ei saa usaldusväärselt tuvastada. Saadud kujutist saab seejärel vigade suhtes eraldi analüüsida, arvutades välja ECC kontrollkoodid väline rakendus, eeldusel, et see täpselt on kasutatav algoritm ja lehekülje paigutus on teada .

ChipStar programmeerija tarkvara pakub kaudset statistiline meetodüksikute vigade tuvastamine ja kõrvaldamine. Meetod võimaldab tuvastada ainult ebastabiilne vead koos pole garanteeritud usaldusväärsus. Veatuvastusega lugemiseks peate valima " Valikuline lugemine" ja vahekaardil "NAND" märkige ruut " Luba veaparandusrežiim"

Saate konfigureerida lugemise korduskatsete arvu võrdlemiseks ja lugemiskatsete koguarvu tõrke ilmnemisel. Tuleb meeles pidada, et selle meetodi kasutamine aeglustab lugemisprotsessi.

Statistilise veatuvastuse algoritm töötab järgmiselt:

1. NAND-lehte loetakse mitu korda järjest (vähemalt kolm).
2. Loetud andmeid võrreldakse baithaaval.
3. Kui võrdlusvigu ei tuvastata, eeldatakse, et leht on veatu.
4. Kui võrdluse käigus avastatakse vigu, loetakse lehte veel mitu korda.
5. Iga vea puhul loendatakse lugemiste arv. ühikut Ja nullid.
6. Õigeks väärtuseks (“0” või “1”) loetakse seda, mida on rohkem.

Algoritm töötab hästi, kui vea tõenäosus mikroskeemi konkreetses bitis on väiksem kui 0,5. Mikroskeemi lugemisel loendatakse “parandatud” vead ja õige lugemise tõenäosus.

2.6. Binaarkujutise teisendamine NAND-kujutiseks

Kõik ülalkirjeldatud puudutas rohkem kopeerimist NAND ja mikroskeemide mudelil põhinevad salvestised, kuid see on sageli vajalik kirjutage programmi algne kahendkujutis tühjale kiibile. Enne salvestamist peate teisendama binaarne pilt NAND-pildile, lisades igale lehele varuala ja täitke see õigesti. Selleks avage oma binaarfail, valige menüüelement " Ilmub dialoog:

Määrake NAND-i teisendusrežiim: " Binaarne pilt... ", määrake leht ja NAND-ploki suurus või valige vajalik kiip. Valige varuala formaat. Programmeerija toetab lihtsat ala täitmist FF väärtustega​​sisseehitatud tööriistade ja muude meetoditega, kasutades pistikprogramme. A pistikprogramm on kaasas programmeerijaga, mis rakendab Samsungi soovitatud varuala määranguid.

Kui teil on vaja mõnda rakendada erinev levitamisvõimalus - andke meile teada ja me valmistame sobiva plugina või saate vajaliku plugina ise juurutada.

2.7. Ühildub teiste programmeerijate loetud NAND-piltidega

Kui teil on NAND pilt, mille on lugenud teine ​​programmeerija või saadud teisest allikast, peab see nii olema teisendada salvestamiseks sobivasse vormingusse ChipStar programmeerija.

Selleks toimige järgmiselt.

• Avage fail, valige menüüelement " Redigeerimine|NAND-redigeerija režiimi sisse- ja väljalülitamine ". Ilmub ülaltoodud dialoog.
• Määrake teisendusrežiimiks vorming NAND: "Pilt on juba NAND... ", märkige lehe suurus Ja blokk NAND või valige vajalik kiip. Klõpsake " Jätka".
• Redaktorisse ilmub vahekaart " NAND " ja pilt hakkab otsima halbu plokke.
• Saadud faili saab vormingus salvestada NAND, saab fail laienduse .nbin vaikimisi.

SSD jõudlus ja eluiga sõltuvad peamiselt NAND-välkmälust ja kontrolleri püsivarast. Need on draivi hinna põhikomponendid ja loogiline on nendele komponentidele ostmisel tähelepanu pöörata. Täna räägime NANDist.

Soovi korral leiate välkmälu tootmise tehnoloogilise protsessi peensusi SSD-ülevaatele spetsialiseerunud saitidel. Minu artikkel on suunatud laiemale lugejaskonnale ja sellel on kaks eesmärki:

1. Tõstke loor SSD-de tootjate ja kaupluste veebisaitidel avaldatud ebamäärasetele spetsifikatsioonidele.
2. Lahendage küsimused, mis teil õppimise ajal tekkida võivad tehnilised omadused erinevate draivide mälu ja riistvaranörkide jaoks kirjutatud arvustuste lugemine.

Alustuseks illustreerin probleemi piltidega.

Mida SSD spetsifikatsioonid näitavad?

Tootjate ametlikel veebisaitidel ja veebipoodides avaldatud NAND-i tehnilised kirjeldused ei sisalda alati üksikasjalikku teavet. Lisaks on terminoloogia väga erinev ja ma olen teile kogunud andmed viie erineva draivi kohta.

Kas see pilt ütleb sulle midagi?

Ok, oletame, et Yandex.Market pole parim usaldusväärne allikas teavet. Pöördume tootjate kodulehtede poole – kas see on muutunud lihtsamaks?

Ehk saab niimoodi selgemaks?

Mis siis, kui nii?

Või on niimoodi parem?

Samal ajal on kõigis nendes draivides installitud sama mälu! Raske uskuda, eriti kahte viimast pilti vaadates, kas pole? Pärast sissekande lõpuni lugemist te mitte ainult ei veendu selles, vaid loete ka selliseid omadusi nagu avatud raamatut.

NAND-mälutootjad

Välkmälutootjaid on palju vähem kui ettevõtteid, kes müüvad SSD-sid oma kaubamärkide all. Enamikul draividel on nüüd mälu:

• Intel / Micron
• Hynix
• Samsung
• Toshiba/SanDisk

Pole juhus, et Intel ja Micron jagavad nimekirjas sama kohta. Nad toodavad NAND-i, kasutades IMFT ühisettevõtte raames samu tehnoloogiaid.

USA Utah' osariigi juhtivas tehases toodetakse sama mälu nende kahe ettevõtte kaubamärkide all peaaegu võrdsetes osades. Singapuris asuva tehase koosteliinilt, mida nüüd kontrollib Micron, võib mälu tulla ka selle tütarettevõtte SpecTek kaubamärgi alla.

Kõik SSD tootjad ostavad NAND-i ülaltoodud ettevõtetelt, nii et erinevad ajamid Seal võib olla praktiliselt sama mälu, isegi kui selle kaubamärk on erinev.

Näib, et selles mäluolukorras peaks kõik olema lihtne. NAND-i on aga mitut tüüpi, mis omakorda jagunevad erinevad parameetrid, tekitades segadust.

NAND-mälutüübid: SLC, MLC ja TLC

Need on kolm erinevat tüüpi NAND-i, mille peamine tehnoloogiline erinevus seisneb mäluelemendis salvestatud bittide arvus.

SLC on kolmest tehnoloogiast vanim ja seda tõenäoliselt ei leia kaasaegne SSD sellise NAND-iga. Enamikul draividel on nüüd MLC pardal ja TLC on uus sõna pooljuhtdraivide mäluturul.

Üldiselt on TLC-d pikka aega kasutatud USB-mälupulkades, kus mälu vastupidavus puudub praktiline tähtsus. Uus tehnoloogilised protsessid võimaldavad vähendada SSD-de TLC NAND gigabaidi maksumust, pakkudes vastuvõetavat jõudlust ja kasutusiga, millest kõik tootjad on loogiliselt huvitatud.

Huvitav on see, et kuigi üldsus on mures tsüklite piiratud arvu pärast SSD ümberkirjutamine, NAND-tehnoloogiate arenedes see parameeter ainult väheneb!

Kuidas määrata SSD-s konkreetset mälutüüpi

Olenemata sellest, kas olete ostnud SSD või alles plaanite ostu, võib teil pärast selle postituse lugemist alapealkirjas tekkida küsimus.

Ükski programm ei näita mälu tüüpi. Selle teabe leiate draivi ülevaadetest, kuid seal on otsetee, eriti kui peate võrdlema mitut ostukandidaati.

Spetsiaalsetelt saitidelt leiate SSD-de andmebaase ja siin on näide.

Mul polnud seal probleeme oma draivide mäluomaduste leidmisega, välja arvatud tahvelarvutisse installitud SanDisk P4 (mSATA).

Millistel SSD-del on parim mälu?

Vaatame kõigepealt läbi artikli põhipunktid:

• NAND-i tootjaid saab ühe käe sõrmedel üles lugeda
• Kaasaegsed pooljuhtdraivid kasutavad kahte tüüpi NAND-i: MLC ja TLC, mis alles kogub hoogu
• MLC NAND erineb liideste poolest: ONFi (Intel, Micron) ja Toggle Mode (Samsung, Toshiba)
• ONFi MLC NAND jaguneb asünkroonseks (odavam ja aeglasem) ja sünkroonseks (kallim ja kiirem)
• SSD-de tootjad kasutavad erinevat tüüpi mälusid, luues erinevaid mudelivalik iga rahakoti jaoks
• ametlikud spetsifikatsioonid sisaldavad harva konkreetset teavet, vaid andmebaase SSD andmed võimaldab teil täpselt määrata NAND-i tüübi

Loomulikult ei saa sellises loomaaias alapealkirjas esitatud küsimusele üheselt vastata. Sõltumata draivi kaubamärgist vastab NAND märgitud spetsifikatsioonidele, vastasel juhul pole OEM-tootjatel mõtet seda osta (nad annavad SSD-dele oma garantii).

Siiski... kujutage ette, et suvi rõõmustas teid dachas enneolematu maasikasaagiga!

See kõik on mahlane ja magus, kuid sa lihtsalt ei jõua nii palju süüa, nii et otsustasite mõned kogutud marjad maha müüa.

Kas jätate parimad maasikad endale või paned müüki? :)

Võib arvata, et kõige rohkem paigaldavad NAND-i tootjad parem mälu oma salvestusseadmetesse. Arvestades NAND-i tootvate ettevõtete piiratud arvu, on SSD-de tootjate nimekiri veelgi lühem:

• Crucial (Mikroni jaotus)
• Intel
• Samsung

Jällegi on see vaid oletus ja seda ei toeta karmid faktid. Kuid kas te oleksite nende ettevõtetena käitunud teisiti?

Tere sõbrad! Ühel päeval küsis üks meie tavalistest lugejatest hea küsimus. Ta küsis To kuidas teada saada, kui kaua see veel töötab või kuniKuidas teada saada selle SSD tööressurssi. Ka eelmisel nädalal esitasid teised kasutajad sellel teemal rohkem küsimusi, näiteks:

Milline SSD välkmälu tüüp on parem: NAND, 3D NAND, 3D V-NAND ja EI?

Kuidas teada saada, millistest mälukiipidest ostetud SSD koosneb ( SLC, MLC või TLC) ja milline mälu on parem?

Kui palju on ümberkirjutamistsüklite või TBW arv?

Kõigile neile huvitavatele küsimustele vastame tänases artiklis.

Kuidas teada saada, kui kaua teie SSD vastu peab

Ma ei karda ennast korrata ja öelda, et arvutis on kõik oluline, sealhulgas pooljuhtketas. Enne selle ostmist tutvuge kindlasti oma tulevase SSD jõudluse ja tööeaga. Algajal on siin lihtne segadusse sattuda, sest SSD kasutusaja asemelInternetis räägivad kõik millestkiümberkirjutamise tsüklite arv. ma seletan. C Ümberkirjutamise tsükkel on pooljuhtketta kogu ruumala (kõik lahtrid) ümberkirjutamine, kuid kontroller kirjutab ümber ühtlaselt rakud. Meie mugavuse huvides näitavad tootjad (arvutavad valemiga), et tsükleid ei kirjutata ümber, A draivile kirjutatavate andmete kogumaht terabaitides. Seda helitugevust nimetatakse - TBW(Kirjutatud baite kokku –Kirjutatud baite kokku). H Mida rohkem ketta mahtu, seda rohkem TBW-d sellel on.Teades TBW-d, saate täpselt arvutada oma tahke oleku eluea.TBW limiit võib erinevatel SSD-del erineda kohati!

• SSD või TBW ümberkirjutamise ressursi leiate ainult seadme tootja ametlikult veebisaidilt, kuid mitte kõik tootjad ei näita selliseid andmeid, seega on parem osta pooljuhtketas neilt tootjatelt, kes seda näitavad.

SSD jõudlus ja kasutusiga sõltuvad kahest asjast: tüübist NAND-välkmälu kiibid: (SLC, MLC, TLC) ja püsivaraga kontroller. Sõidu hind sõltub neist otseselt.

SSD-del on kahte peamist välkmälu tüüpi: NOR ja NAND. NAND-tehnoloogia on kiirem ja odavam. NAND mälestus täna paranenud. Ilmus 3D-mälu NAND ja 3D V-NAND. Kui võtta praegu turul pakutavate SSD-de turg, siis kuulub 5 protsenti 3D V-NAND, 15 protsenti 3D NAND, ülejäänud 80 protsenti NAND. DNendel andmetel on viga, kuid väike.

Omakorda võib välkmälu: NAND olla kolme tüüpi mälukiipe: SLC, MLC ja TLC. Tänapäeval müüakse enamasti välkmälupõhiseid SSD-sid. MLC ja TLC. TLC ja MLC osas on turul pakutavad SSD-d 50/50.TLC mälul on madalam TBW piirang.

1. SLC- Single Level Cell – on kolmest tehnoloogiast vanim ja kiireim. Sellel on kõrge jõudlus, madal energiatarve, suurim kiirus salvestused ja suur TBW limiit (draivile kirjutatavate andmete koguhulk) . SLC-mälukiipidel põhineva pooljuhtseadme maksumus on väga kallis ja kaasaegset SSD-d on sellega väga raske leida.
2. MLC- Multi Level Cell – madalama hinnaga, väiksema töökiiruse ja väiksema TBW-ga.
3. TLC- kolmetasandiline lahter - on veelgi madalama hinnaga, väiksema töökiirusega ja vähemTBW, võrreldes MLC kiipidega. Mälu TLC-d on tavalistes mälupulkades alati laialdaselt kasutatud, kuid uute tehnoloogiate tulekuga on seda võimalik kasutada ka pooljuhtdraivides.

Millises programmis näete pooljuhtdraivi mälutüüpi: TLC ja MLC

Näita tüüpi SSD mälu AIDA64 programm saab arendaja ametlikul veebisaidil https://www.aida64.com/

Valige programmi põhiaknas « Andmete salvestamine»,

siis vali SSD mudel, näiteks mul on süsteemi paigaldatud kolm SSD-d ja valin esimese - Samsung 850 Evo 250GB. Nagu näete, välkmälu tüüp TLC-draiv.

Teisel Kingstoni SHSS37A/240G draivil on MLC-välkmälutüüp.

Kuidas teada saada pooljuhtketta ressurssi

Näiteks uurime Kingstoni SHSS37A/240G ressurssi.

Minge seadme tootja ametlikule veebisaidile https://www.hyperxgaming.com/ru

Valige "Solid State Drives" -> "Savage".

Mahutavus 240 GB

ja vaadake andmete kogumahtu (TBW), millele saab kirjutada Kingstoni sõit SHSS37A mahuga 240 GB - 306 TB.

Võrdleme seda Samsung 850 Evo 250GB draiviga.

Minge tootja ametlikule veebisaidile http://www.samsung.com/ru/ssd/all-ssd/

Kontrollige üksust - SSD 850 Evo Sata III draiv.

Mahutavus 240 GB ja vasakklõps SSD pildil.

"Näita kõiki omadusi"

Näeme indikaatorit päris allosas. Salvestusressurss: 75 TB.

Selgub, et SSD Kingston SHSS37A/240G TBW ümberkirjutustsüklite ressursiarv on neli korda suurem.

Kui teil on OCZ SSD-draiv, minge veebisaidile https://ocz.com/us/ssd/

Kuidas teada saada juba pooljuhtkettale kirjutatud andmete koguhulk

Selleks kasutame CrystalDiskInfo programmi.

Valige programmi põhiaknas minu SSD Samsung 850 Evo 250GB. Üksuses „Kogu hostikirjed” näeme draivile salvestatud andmete mahtu 41,088 TB. Kui võrrelda seda arvu ametlikul veebisaidil märgitud salvestusressursiga: 75 TB, võime järeldada, et SSD-le saab salvestada veel 33 TB andmeid.

SSD Kingston SHSS37A/240G puhul programm CrystalDiskInfot ei saa kuvada salvestusseadmele salvestatud andmete kogumaht.

Sel juhul kasutame SSD programm- Z.

Arendaja ametlik veebisait http://aezay.dk/aezay/ssdz/

Laadige alla ja käivitage programm.

Peaaknas üksuses "Kirjutatud baidid" näeme draivile salvestatud andmete mahtu 43 902 TB.

Kui võrrelda seda arvu ametlikul veebisaidil märgitud salvestusressursiga: 306 TB, võime järeldada, et SSD-le saab salvestada veel 262 TB andmeid.

CrystalDiskInfo alates versioonist 7_0_5 saab töötada uute ketastega, mis kasutavad uusimat uut NVM Expressi protokolli (Toshiba OCZ RD400, Samsung 950 PRO, Samsung SM951). Eelmine versioon Ma pole rumal kombel kunagi selliseid programme näinud.